PECVD等離子體增強氣相沉積是一款1200℃等離子增強混合物理化學氣相沉積（HPCVD)雙溫區回轉爐系統源（帶自動匹配功能）、上游原位蒸發舟、4通道質子流量計控制系統及性能優異的真空泵組成。此于無機復合粉末的熱處理及粉末表面的均勻包覆（如：制備鋰離子電池陰極粉末的導電涂層等）。

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更新時間：2025-03-13
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    PECVD等離子體增強化學氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應的CVD技術。其特點包括：

    1、低溫沉積：PECVD可以在較低的基材溫度下進行，因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應，降低沉積溫度的需求。

    2、高沉積速率：等離子體增強了氣體反應速率，從而提高了薄膜沉積速率。

    3、良好的膜質量：PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度，適用于需要高質量薄膜的應用。

    4、適應性強：可以沉積多種材料，包括氧化物、氮化物和氟化物等，廣泛應用于半導體、光電器件和保護涂層等領域。

    5、控制性好：通過調整等離子體的參數（如功率、氣體流量和壓力），可以精確控制薄膜的成分和性質。

    加熱爐參數

    ?最高溫度：1200ºC（<30min），連續工作溫度：1100℃；

    ?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統；

    ?輸入功率：208-240V，單相，最大功率：2.5KW；

    ?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗；

    ?回轉爐旋轉速度：2-10rpm；

    ?爐體開啟式設計，以達到對樣品快速降溫，方便更換爐管。

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