PECVD等離子體增強氣相沉積技術的特點和三個工藝步驟介紹

     PECVD等離子體增強氣相沉積技術的特點：

    由CVD技術所形成的膜層致密且均勻，膜層與基體的結合牢固，薄膜成分易控，沉積速度快，膜層質量也很穩定，某些特殊膜層還具有優異的光學、熱學和電學性能，因而易于實現批量生產。

    但是，CVD的沉積溫度通常很高，在900℃～2000℃之間，容易引起零件變形和組織上的變化，從而降低機體材料的機械性能并削弱機體材料和鍍層間的結合力，使基片的選擇、沉積層或所得工件的質量都受到限制。

    目前，CVD技術正朝著中、低溫和高真空兩個方向發展，并與等離子體、激光、超聲波等技術相結合，形成了許多新型的CVD技術。

    基本原理可分三個工藝步驟：

    （1）鍍料的氣化：即使鍍料蒸發，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

    （2）鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞后，產生多種反應。

    （3）鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。