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PECVD等離子體增強氣相沉積的設備特點和技術的基本要求
PECVD等離子體增強氣相沉積的設備特點和技術的基本要求
更新時間：2022-05-26 點擊次數：1667
PECVD等離子體增強氣相沉積
是利用氣象中發生的物理、化學過程，改變工件表面成分，在表面形成具有特殊性能的金屬或者化合物涂層的新技術。
PECVD等離子體增強氣相沉積
的設備特點：
1、高真空系統由雙級旋片真空泵和分子泵組成；
2、可配合壓強控制儀控制氣體壓力，實現負壓的控制；
3、數字質量流量控制系統是由多路質量流量計，流量顯示儀等組成，實現氣體的流量的測量和控制；
4、每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統的安全性和連續均勻性；
5、采用KF快速法蘭密封，裝卸方便快捷；
6、管路采用卡套連接，不漏氣；
7、超溫、過壓時，自動切斷加熱電源及流量計進氣；
8、PECVD借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，更容易發生反應。
PECVD等離子體增強氣相沉積
技術的基本要求：
使用CVD技術沉積目標產物時，其目標產物、原材料及反應類型的選擇通常要遵循以下3項原則：
（1）原材料在較低溫度下應具有較高的蒸氣壓且易于揮發成蒸汽并具有很高的純度，簡而言之原材料揮發成氣態的溫度不宜過高。
（2）通過反應類型和原材料的選擇盡量避免副產物的生成，若有副產物的存在，在反應溫度下副產物應易揮發為氣態，這樣易于排出或分離。
（3）盡量選擇沉積溫度低的反應沉積目標產物，因大多數基體材料無法承受CVD的高溫。
（4）反應過程盡量簡單易于控制。
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